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英特尔发明半导体材料处理器功耗望降90

发布时间:2020-07-21 18:03:17 阅读: 来源:压铸机厂家

近日,英特尔对外透露该公司旗下实验室的全新研究结果,该项成果可使处理器减低所需功耗,未来的处理器耗电量甚至可以是当今处理器的十分之一,而性能与体积不仅不会停止不前,还会大幅度的前进。而这项研究的对象则被英特尔称之为“P Channel与N-Channel半导体组合协作”课题.

本文引用地址:

P Channel与N-Channel半导体组合协作技术的晶圆样品

在英特尔最新的研究报告中透露了有关P-ChannelTransistor的资料,这是一种复合半导体,也称为III-V物料,因为它就是硅晶体周期表的列于第四周期表中,据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻的物理特征。而英特尔早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor,同样将会使用在处理器制程技术上。

据英特尔指出,当P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor复合应用后,所制造出的CMOS逻辑芯片比传统物料可减低一半的电压,而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研发创新技术将会应用于未来一段时间内的处理器量产工作。而该项技术带来的好处则是显而易见的:首先,该技术可将处理器效率进一

步提高;其次,容许更复杂的处理器内核设计及减低了因功耗而出现的散热问题;最后,采用该类处理器的笔记本机身体积还可进一步缩少。

当前,英特尔已开始进行试验上述半导体材料大量生产的可能性,希望可以在未来一至两年内将该项技术应用于实际生产中。

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