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三星宣布量产第三代3DVNAND闪存采用MLC颗粒闪存三星

发布时间:2020-03-13 18:30:41 阅读: 来源:压铸机厂家

三星在立体堆栈3DV-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置,其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3DV-NAND已经应用在多款产品上,例如三星850EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布,3DV-NAND将步入第三代,采用48层堆栈设计的3DV-NAND闪存开始进入量产阶段。

据三星表示,第三代3DV-NAND采用48层堆栈技术打造,属于3bitMLC产品,单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比,第三代3DV-NAND不仅容量翻倍,功耗也有30%下降,而且还可以在现有生产线的基础上进行生产,生产效率提升40%。

第三代3DV-NAND共计包含853亿个存储单元,每个单元可以存储3bit数据,通过48层堆栈和18个数据通道孔打造而成,是三星接下来新一代3DV-NAND产品的主力。在2015年接下来的时间中,三星将逐步调整生产线,全力量产第三代3DV-NAND产品,力求把固态硬盘的容量相TB级推进。

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